Ион (электроника): Нұсқалар арасындағы айырмашылық

'''Ион қармауы''' (''Ионная ловушка'') — [[Кинескоп|кинескоптардыңкинескоп]]тардың электрондық зеңбіректерінің құрамына кіретін құрылғы. Сәуле электрондарының кинескоп ішіндегі газ қалдықтарының молекулаларымен соқтығысуы теріс зарядты ион туғызады.

'''Иондық лигерлеу''' (''Иондық имплантация, ионное легирование, ионная имплантация'') — қатты денені қоспалық заттың иондарымен соққылау арқылы оған легирлейтін қоспаларды енгізу.

ШӨ аспаптар мен ИС өндірісінде Иондық лигерлеу көмегімен ШӨ кристалдың немесе оның бір бөлігінің электрооткізгіштігі мен типін өзгертеді; кейбір оптоэлектрондық материалдарды синтездейді. Иондық лигерлеуді МТШ ИС-ді жасауда жұқа үлдірлі [[Резистор|резисторларрезистор]]лар номиналын дөлдегенде сәулежолдар, фотоқабылдағыштар және т.б. аспаптарды жасағанда кейбір [[Оптика|оптикалық материалдардың]] сыну [[Коэффициент|коэффициентінкоэффициент]]ін өзгерту үшін қолданады. Иондық лигерлеу ионды сәулелік қондырғыларда жоғары [[вакуум]] (''103—10 4Па'') жағдайында жүзеге асырылады.

'''Иондық тозандану''' (''Ионное распыление'') — электрондық аспаптар технологиясында қатты денелер бетінің вакуумда оны иондармен соққылаудың нөтижесінде бұзылуы.

'''Ионды-плазмалық технология''' (''Ионно-плазменная технология'') — газразрядты төоменгі температуралы [[плазма]] компоненттерін пайдалану, электронды техникалық материалдар мен бұйымдарды алу және өндірудің жолдары мен тәсілдерінің жиынтығы. Ионды-плазмалық технология ШӨ аспаптар өндірісінде, соның ішінде төсеніштер бетін тазалауда және [[металдар]], ШӨ немесе диэлектриктердің жұқа үлдірлерін, ионды-плазмалық тозаңдату, иондық немесе плазмо-химиялық тұндыру арқылы салу; [[Топология|топологиясытопология]]сы белгілі ИС-ны алу үшін жұқа үлдірлерді иондық және ионды-сәулелік ойып өндеу және т.б. жиі қолданылады.

'''Ионды-сәулелік тұндыру''' (''Ионно-лучевое осаждение'') — энергиясы төмен (''5—100 эВ'') иондардың [[ФОКУС|фокустелген]] шоғы көмегімен төсеніш үстіне металдар, [[шалаөткізгіштер]] немесе [[диэлектриктер]] үлдірлерін салу.

'''Ионолитография''' (''Ионды-сәулелік литография'', ИЛ) — кескінді [[жеңіл элемент]]терді (мысалы, Не+, О+, Н+, Аг+ және т.б.) иондар шоғымен тасымалдауды іске асыратын литографияның қазіргі жаңа түрі.

ИЛ-ның екі әдісі бар: ''сканирлейтін'' ИЛ, ''проекциялық шаблонды'' ИЛ. Фокустелген сәулесі бар сканирлейтін ИЛ сканирлейтін электронды литограионфияға ұқсас. Мұнда пластина үстіне тікелей суретті көшіріп түсіретін қондырғылар қолданылады. Осындай қондырғьща бастаудан шығатын иондар [[Линза|линзаларлинза]]лар жүйесінің комегімен резистпен жабылған пластинаға фокустеледі. Жарықтандыру кезінде фокустелген сәуле дәл берілген орынға түсіріліп, электростатикалық ауытқытатын жүйе комегімен пластина бетінде кішкене аудан бойынша сканирленеді.

Аумақ шеттеріндегі сәуле қимасының ұлғаюынан сканирлеу ауданы шектелген (1 мм²-тан аспайды). Пластинаның толық бетіне кескіндеу әрбір аумақта орналасқан арнайы белгілерді сәйкестендіру арқылы жүзеге асырылады. Осы литография өлшемдері ''0,03—0,3 мкм'' болатын шағын элементтерді жасау үшін қолданылады.

'''Ионорезист''' - энергиясы ''30 КэВ''-тен бірнеше МэВ-ке дейінгі жеңіл элементтер (Н+, Н+, О+, Av+) иондарының әсеріне сезімтал болатын сұйық резист. Ионорезист [[ионолитография]]да қолданылады.

'''Ионосфера''' - ''60-80'' км биіктіктен басталатын, жер [[магнитосфера]]сының жоғарғы бөлігін қамтитын [[атмосфера]] қабаты. Бұл қабатта күн радиациясыныц ультракүлгін, рентген және ғарыштық сәулелердің әсерінен атмосфералық газдар молекулаларының ьдырауынан газдардың иондану, элекгрондардың шоғырлану дәрежелері аса жоғары болады.