'''Лео Эсаки''' ({{lang-jp|江崎 玲於奈}}, айтылуы ''Эсаки Рэона'', '''Рэона Эсаки''' немесе '''Леона Эсаки''' ретінде белгілі; [[12 наурыз]] [[1925 жыл]]ы, [[Осака]], [[Жапония]]да т.) — [[Жапония|жапондық]] [[Физика|физик]], [[Физика саласындағы Нобель сыйлығы|физика бойыншасаласындағы Нобель сыйлығының]] [[1973 жыл]]ғы лауреаты. Сыйлықтың жартысын, Айвар Джайевермен бірлесіп, "[[Меншікті өткізгіштік|жартылай өткізгіштердегіөткізгіштер]] жәнемен [[асқын өткізгіш]]тердегі туннельді құбылыстарды эксперименттіктәжірибе жүзінде ашқаны үшін" алды. Екінші жартысы (Б. Д. Джозефсонға "ток арқылы өтетін туннель кедергісінің теориялық болжау қасиеттерін, атап айтқанда, құбылыстардың жалпыға мәлім қазіргі аты [[Джозефсон эффектісі|Джозефсон әсерлерін]] ашқаны" үшін берілді. Белгілі өнертапқыш Лео Эсаки, сондай-ақ диодтан Эсаки пайдаланатын [[Электрон|электронныңэлектрон]]ның туннельдеу әсерін тапты.
Лео Эсаки физиканы [[Токио университеті]]нде физика мамандығында оқыған<nowiki/> бакалавр дәрежесін [[1947 жыл]]ы, философия докторы дәрежесін [[1959 жыл]]ы алды. Нобель сыйлығын [[1958 жыл]]ы [[Sony]] компаниясында жұмыс істеу кезінде жүргізілген зерттеулері үшін алған. Кейіннен, [[1960 жыл|1960 жылы]] [[Америка Құрама Штаттары|АҚШ-қа]] көшіп келіп, [[International Business Machines|IBM]] фирмасының зерттеу орталығында жұмыс істеді, онда [[1967 жыл]]ы {{аударылмаған2|IBM лауреатынажүлдесіне|лауреатаIBM IBMжүлдесіне|en|IBM Fellow}} [[1967 жыл]]ы атағына ие болды.
