Планарлы-эпитаксиалдық технология

Планарлы-эпитаксиалдық технология — Планарлы-эпитаксиалдық технологияның қуатты транзисторлар жасауда қолданылатын түрі. Мұнда монокристалл төсеніштің құрылымын қайталайтын жұқа Si — эпитаксиалдық қабатты төсеніш үстіне эпитаксиалдық өсіру операциясы бар. Эпитаксиалдық қабат пен төсеніштің легирлену деңгейі және өткізгіштік типі әр түрлі болуы мүмкін.

Планарлы-эпитаксиалдық технология транзисторлар құрылымын қалыптастыру және элементтерін оқшаулау түрлеріне байланысты бірнеше нұсқаларға бөлінеді. Элементтері толық диэлектрлік оқшауланған ИС-ды диэлектриктегі кремний құрылымы негізінде жасайды. Мұндай құрылым поликристаллы Si пластина ішінен ойып-өңдеумен ойықтар жасап, олардың қабырғаларына SiO₂ үлдірлерін жалатып, сосын осы ойықтарды монокристаллы n+ - Si-ді жергілікті эпитаксиалды өсірумен толтыру нәтижесінде жасалады. Сөйтіп, жан-жағынан диэлектрикпен (SiO₂ ) қоршалған және жоғары омды диэлектрик болып табылатын поликремнийге батырылған п+ - аймақтары пайда болады.

ИС элементтерін комбинациялы оқшаулаған кезде олардың астын төсеніш жағынан кері ығысған р — п өткелдерімен, ал қабырға жақтарын диэлектрикпен оқшаулау арқылы эпитаксиалдық қабатты жергілікті өтпелі тотықтармен оқшауласа, онда бұл изопланарлық технология. Ал енді эпитаксиалдық қабатта V-тәрізді каналдарды ойып өңдеумен, сосын оларды жоғары омды поликремниймен толтыру жолымен оқшауласа, бұл полипланарлық технологияға жатады.

Оқшаулаудың келесі VIP технологиясында (ағылш. V-braue isolation polisilicon — поликристаллы кремнийі бар V-тәрізді жыралармен оқшаулау) ИС элементтерін қалыптастырылган Транзисторлық құрылым қабаттарынан тұратын элементтер арасыңдағы эпитаксиалдық қабатты тігінен анизатроптың ойып-өңдеу жолымен оқшаулайды, осыдан кейін пайда болған V-тәрізді жыралары бар бедерді SiO₂ мен Si₃N₄ жұқа оқшаулағыш қабаттарымен жабады да, жыраларды поликремниймен толтырады.