Планарлы-эпитаксиалдық транзистор
Планарлы-эпитаксиалдық транзистор — бір немесе бірнеше аймақтары эпитаксия арқылы жасалған планарлық транзистор. Биполярлық Планарлы-эпитаксиалдық транзистор жасау үшін ШӨ пластинада (мысалы, р-типті өткізгіштігі бар кремнийден) кірмелер диффузиясы арқылы коллектордың кедергісі аз (n+-типті) аймақты қалыптастыру керек. Базалық (р-типті) және эмиттерлік (n+-типті) аймақтарды қалыңдығы 7—10 мкм эпитаксиаль қабатта (n+-типті) кірмелер диффузиясы арқылы алады. Оны бастапқы ШӨ пластина үстінде өсіреді. Өрістік Планарлы-эпитаксиалдық транзисторды жасау үшін ШӨ пластина (p-типті өткізгіштігі бар және үлестік кедергісі ~106 - 108 Ом • см) үстінде эпитаксиалдық өсіру арқылы қалыңдығы жуықпен 0,1—0,5 мкм және электрондар конңентрациясы 5 • 1016 - 3 • 1017 см3 болатын канал (n+-типті) жасайды.
Планарлы-эпитаксиалдық транзистордың жаппасын жаңа эпитаксиалдық қабатты жалған өсірумен немесе кірмелер диффузиясымен қалыптастырады. Құйма және бастау эпитаксиаль қабаты бар омдық түйіспелер болып табылады.[1]
Дереккөздер
өңдеу- ↑ Қазақ тілі терминдерінің салалық ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: «Мектеп» баспасы, 2007 ISBN 9965-36-448-6
| Бұл мақаланы Уикипедия сапа талаптарына лайықты болуы үшін уикилендіру қажет. |
| Бұл мақалада еш сурет жоқ.
Мақаланы жетілдіру үшін қажетті суретті енгізіп көмек беріңіз. Суретті қосқаннан кейін бұл үлгіні мақаладан аластаңыз.
|
|
Бұл — мақаланың бастамасы. Бұл мақаланы толықтырып, дамыту арқылы, Уикипедияға көмектесе аласыз. Бұл ескертуді дәлдеп ауыстыру қажет. |
|
Бұл — электроника туралы мақаланың бастамасы. Бұл мақаланы толықтырып, дамыту арқылы, Уикипедияға көмектесе аласыз. |